Aus diesen 34 Wörtern, so viele pro Runde, wie du willst — bis zu allen: zuerst, was heute fällig ist, dann neue. Erst wählst du aus, dann setzt du ein, dann schreibst du selbst. Fehler kommen gleich noch einmal.
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Das Fach hat sich vom Alltag ein paar Wörter geliehen und ihnen eine andere Bedeutung gegeben. Le dopage ist auf dem Sportplatz das Doping, im Reinraum das gezielte Einbringen von Fremdatomen. La gravure ist beim Drucker der Stich, hier das Ätzen — und la finesse de gravure ist deshalb die Strukturgröße, nicht die Feinheit einer Zeichnung. Wer la puce hört, muss vom Floh absehen.
Zwei Wörter sagen außerdem mehr, als sie zu sagen scheinen. La bande interdite ist wörtlich das verbotene Band: der Bereich, in dem sich kein Elektron aufhalten darf, und genau diese Lücke entscheidet, ob ein Stoff leitet. Und la salle blanche ist nicht weiß gestrichen — blanc steht hier für rein, wie in page blanche für unbeschrieben.
Die Wörter
Ansicht
Wendung (22)
le lingot de siliciumSiliziumblockWendungC2
Le lingot de silicium est tiré lentement du bain fondu.Der Siliziumblock wird langsam aus der Schmelze gezogen.
la bande interditeBandlückeWendungC2
La bande interdite décide de la couleur émise.Die Bandlücke entscheidet über die ausgesandte Farbe.
la bande de conductionLeitungsbandWendungC2
Un électron passe dans la bande de conduction et le courant circule.Ein Elektron gelangt ins Leitungsband, und der Strom fließt.
la bande de valenceValenzbandWendungC2
La bande de valence est presque pleine à froid.Das Valenzband ist in der Kälte fast voll.
le porteur de chargeLadungsträgerWendungC2
Le porteur de charge se déplace sous l’effet du champ.Der Ladungsträger bewegt sich unter der Wirkung des Feldes.
la mobilité des électronsElektronenbeweglichkeitWendungC2
La mobilité des électrons chute quand la plaquette chauffe.Die Elektronenbeweglichkeit sinkt, wenn die Scheibe warm wird.
la jonction p-np-n-ÜbergangWendungC2
La jonction p-n ne laisse passer le courant que dans un sens.Der p-n-Übergang lässt den Strom nur in eine Richtung durch.
le transistor à effet de champFeldeffekttransistorWendungC2
Le transistor à effet de champ ouvre le canal par une tension.Der Feldeffekttransistor öffnet den Kanal durch eine Spannung.
l’oxyde de grilleGate-OxidWendungC2
L’oxyde de grille ne fait que quelques couches d’atomes.Das Gate-Oxid ist nur wenige Atomlagen dick.
la gravure sècheTrockenätzenWendungC2
La gravure sèche travaille avec un plasma, pas avec un bain.Das Trockenätzen arbeitet mit einem Plasma, nicht mit einem Bad.
le dépôt en couche minceDünnschichtabscheidungWendungC2
Le dépôt en couche mince recouvre toute la surface d’un coup.Die Dünnschichtabscheidung überzieht die ganze Fläche auf einmal.
le rendement par plaquetteWaferausbeuteWendungC2
Le rendement par plaquette décide du prix final.Die Waferausbeute entscheidet über den Endpreis.
la salle blancheReinraumWendungC2
On entre en salle blanche avec une combinaison complète.Man betritt den Reinraum in voller Schutzkleidung.
Blanc heißt hier rein, nicht weiß.
le nombre de particulesPartikelzahlWendungC2
Le nombre de particules est mesuré en continu.Die Partikelzahl wird laufend gemessen.
la mise en boîtierGehäusungWendungC2
La mise en boîtier protège la puce et sort les contacts.Die Gehäusung schützt den Chip und führt die Kontakte heraus.
le budget thermiqueTemperaturbudgetWendungC2
Le budget thermique limite le nombre de passages au four.Das Temperaturbudget begrenzt die Zahl der Ofengänge.
la finesse de gravureStrukturgrößeWendungC2
La finesse de gravure se mesure en milliardièmes de mètre.Die Strukturgröße wird in Milliardstelmetern gemessen.
le substrat de siliciumSiliziumträgerWendungC2
Le substrat de silicium porte toutes les couches suivantes.Der Siliziumträger trägt alle folgenden Schichten.
la densité de défautsDefektdichteWendungC2
La densité de défauts explique la plupart des rebuts.Die Defektdichte erklärt den größten Teil des Ausschusses.
le courant de fuiteLeckstromWendungC2
Le courant de fuite vide la batterie au repos.Der Leckstrom entleert den Akku im Ruhezustand.
la tension de seuilSchwellspannungWendungC2
En dessous de la tension de seuil, le transistor reste fermé.Unterhalb der Schwellspannung bleibt der Transistor gesperrt.
le circuit intégréintegrierter SchaltkreisWendungC2
Le circuit intégré réunit des millions d’éléments sur une puce.Der integrierte Schaltkreis vereint Millionen Bauelemente auf einem Chip.
